ＭＡＲＹ－１０２

　

 　　　ファイバーカプラー　MU-501　　　 

 

 

 

 

PDMSLDcut.JPG - 8,337BYTES

　●　高解析力 　

　　　

　●　回転位相子法を採用

 

　●　高再現性

 

　●　高速測定

 

　●　豊富なオプション

　　　　

 

　

 

装置概要： エリプソメーターとは、物質表面での光の入反射光の偏光状態の変化を

測定し、薄膜の厚さ、屈折率や吸収係数などの光学定数、或いはバルク

材の光学定数を解析する装置です。

非接触･非破壊にて測定が行えます。

●コラム：いちばん最初に読む「エリプソメータ」

特徴： MARY-102は、弊社の光計測技術を基に、小型・低価格・高精度・使い易さを追求して開発されました。

シミュレーション機能等を充実させた研究用ソフトウェアの他に、ルーチン作業に適した工業用ソフトウェアもご選択いただけます。

測定方式に回転位相子法を採用している為、回転検光子法では測定しにくいデルタの領域も位相板の出し入れ無しで高精度に測定でき、ゾーン判定もすばやく行われます。

 

エリプソメータ　装置仕様：

 

仕様 Specifications

測定方式

 　回転位相子法（RQ法） Method 　Rotating Retarder Method

光源

 　0.8 mW　HeNeレーザ （λ＠632.8nm） Light
Source		 　0.8 mW　HeNeLaser （λ＠632.8nm）
ビーム径 　0.8 mmφ Beam Dia 　0.8 mmφ
入射角 自動可変、手動可変あるいは固定（任意）
自動の場合 45°～90°
　　0.01°刻み		 Incident
Angle

Auto, Manual or Fixed
Auto(45°～90°

0.01°step)

サンプル
ステージ		 　6インチサイズ標準  (8", 12")
　自動θ-Y タイプ
　手動θ-Y タイプ
　モータドライブZ軸
　手動Z軸
　手動チルト機構付		 Sample
Stage		 　6" standard (8" & 12" optional)
　 Autoθ-Y
　Manualθ-Y
　 Motor-driven Z-axis
　Manual Z-axis
　Manual tilt control
測定精度 　Δ = ± 0.01 °
　ψ = ± 0.01 °
　@SiO2(1000 Å) / Si		 Accuracy 　Δ=±0.01°
　ψ=±0.01°
　@SiO2(1000Å)/Si
測定時間 　最小 0.05 秒 Sample
Time		 　0.05 sec minimum
ソフト
　ウェア		 　研究用・工業用を選択 Software 　Choice of Research
　Industrial Control
ＰＣ 　IBM-PCまたは互換機 ＰＣ 　IBM-PC compatible
寸法 300W×400D×450H mm Dimensions 　300W×400D×450Hmm

 

 

＞ＭＡＲＹ－１０２ 小型分光器

 

＞分光エリプソメーターMASS105

　

＞超小型エリプソメーターMACO